Hoffman-Lauritzen-Theorie für die Kristallisation
Auf der einen Seite ist die Kristallisationsrate bei der Temperatur T bei höherer Unterkühlung ΔT=Tm-T schneller. Auf der anderen Seite ist die Kristallisationsgeschwindigkeit langsamer, wenn man sich der Temperatur T∞=Tg-30 nähert, bei der die mit dem Viskosefluss verbundene Bewegung auftritt.

wobei:
- A ist der vorexponentielle Faktor
- U ist die Aktivierungsenergie von Segment-Sprüngen in Polymeren; dieser Parameter hat einen universellen Wert von 6,3 kJ/mol
- T∞ =Tg - 30 K ist die Temperatur, bei der der Viskosefluss beendet ist; diese Temperatur liegt 30 K unter der Glasübergangstemperatur Tg
- KG ist der kinetische Parameter für die Keimbildung
- ∆T=Tm-T ist die Unterkühlung vom Gleichgewichtsschmelzpunkt Tm und
- f=2T/(Tm+T) ist der Korrekturfaktor.
Diese Gleichung hat positive Werte nur für den Temperaturbereich zwischen T∞ und Tm. Oberhalb der Schmelztemperatur befindet sich das Material im flüssigen Zustand und es findet keine Kristallisation statt. Unterhalb von T∞ befindet sichdas Material im glasartigen Zustand, in dem jegliche viskose Bewegung beendet ist und auch keine Kristallisation mehr stattfindet.
Kinetics Neo
This theory is used in Kinetics Neo software as model based CrystallizationKinetics for Kristallisation nach NakamuraDie Kristallisation nach Nakamura ist das Kristallwachstumsmodell für nicht-isotherme Kristallisationskinetik beim Abkühlen.Nakamura and Sbirrazuolli reaction types.
Referenz
[1] Empfehlungen des ICTAC-Kinetikkomitees für die Analyse der Mehrschrittkinetik - ScienceDirect
[2] Patel, R.M., Crystallization kinetics modelling of high density and linear low density polyethylene resins. Journal of Applied Polymer Science 2011, 124(2): 1542-1552.
https://doi.org/10.1002/app.35177
[3] Vyazovkin S., Sbirrazzuoli N. 2004 Isoconversionional Approach to Evaluation the Hoffman-Lauritzen Parameters (U* and Kg) from the Overall Rates of nonisothermal Crystallization, Macromolecular Rapid Communications, 2004, 25. 733-738.
https://doi.org/10.1002/marc.200300295
